К этим явлениям относятся андерсоиовская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к актива-циоииой при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания. Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построенная с помощью этого метода. Детально обсуждается основанный на теории протекания метол вычисления электропроводности сильно неоднородных сред. Обсуждаются нерешенные проблемы теории. Большое внимание уделяется сопоставлению ее результатов с экспериментом. 2012. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1979 года (издательство "Наука").