Излагаются какклассическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Посвящена систематическому п подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1985 года (издательство "Наука"). Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей. 2012