СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках. Юрий Колковский, Юлий Концевой, Андрей Георгиевич Васильев
533 руб
Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (HEMT). Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 "Электроника и наноэлектроника". Из серии: Мир электроники
2011